一文釋義肖特基二極管作用及原理詳情
發(fā)布時(shí)間： 2021-06-01 
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原標(biāo)題：肖特基二極管作用
肖特基二極管是由發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchotkyBarrierDiode，縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體的接觸形成PN結(jié)的原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體的接觸形成的金屬半導(dǎo)體的結(jié)的原理制作的。因此，SBD也稱為金屬半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，是熱載流子二極管。
肖特基二極管作用
肖特基二極管主要作用體現(xiàn)于在于它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體設(shè)備。最顯著的特征是反向恢復(fù)時(shí)間極短(可小于數(shù)納秒)，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。它主要用于高頻、低壓、大電流整流二極管、二極管、保護(hù)二極管，也用于微波通信等電路中的整流二極管、小信號(hào)檢測(cè)二極管。常用于通信電源、變頻器等。
典型的應(yīng)用是在雙極晶體管對(duì)BJT的開關(guān)電路中，通過在BJT上連接Shockley的二極管鉗位，晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下接近截止?fàn)顟B(tài)，提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是用于74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字化智能電路的技術(shù)。
肖特基(Schottky)二極管的最大特征是正壓下降VF流稍小。同樣的電的情況下，正壓下降相當(dāng)小。此外，恢復(fù)時(shí)間短。耐壓低，漏電流大也有缺點(diǎn)。選擇時(shí)要全面考慮。
肖特基二極管原理
肖特基二極管是以貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)a為正極，以n型半導(dǎo)體b為負(fù)極，利用兩者接觸面形成的障礙具有整流特性的金屬半導(dǎo)體器件。由于n型半導(dǎo)體中有大量的電子，貴金屬中只有極少量的自由電子，電子從高濃度的b擴(kuò)散到低濃度的a。顯然，金屬a沒有空洞，也沒有空洞從a向b的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子從b擴(kuò)散到a，b表面的電子濃度逐漸下降，表面的電中性被破壞，形成了勢(shì)頭，其電場(chǎng)方向?yàn)閎→a。但是，在該電場(chǎng)的作用下，a中的電子也產(chǎn)生了從a→b的漂移運(yùn)動(dòng)，減弱了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以n型半導(dǎo)體為基礎(chǔ)，在上面形成以砷為配合劑的n-外延層。陽極用鉬和鋁等材料制作擋板。用二氧化硅(SiO2)去除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管道的耐壓值。n型基片具有較小的通態(tài)電阻，其混合濃度比h層高100%倍。在基片下面形成N+陰極層，其作用是減少陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，n型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢(shì)，如下圖所示。
當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)流管大不相同。通常，PN結(jié)流管被稱為結(jié)流管，而金屬半導(dǎo)管被稱為肖特基整流管。采用硅平面技術(shù)制造的鋁硅肖特基二極管也誕生了。這不僅可以節(jié)約貴金屬，大幅度降低成本，還可以改善參數(shù)的一致性。
以上內(nèi)容主要介紹肖特基二極管作用及原理，如需要肖特基二極管請(qǐng)留言聯(lián)系或撥打聯(lián)系電話：0755-28100016；海量肖特基二極管庫存。
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標(biāo)簽：肖特基二極管作用、肖特基二極管作用及原理、肖特基二極管作用介紹、什么是肖特基二極管作用
肖特基二極管是由發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchotkyBarrierDiode，縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體的接觸形成PN結(jié)的原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體的接觸形成的金屬半導(dǎo)體的結(jié)的原理制作的。因此，SBD也稱為金屬半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，是熱載流子二極管。
肖特基二極管作用
肖特基二極管主要作用體現(xiàn)于在于它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體設(shè)備。最顯著的特征是反向恢復(fù)時(shí)間極短(可小于數(shù)納秒)，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。它主要用于高頻、低壓、大電流整流二極管、二極管、保護(hù)二極管，也用于微波通信等電路中的整流二極管、小信號(hào)檢測(cè)二極管。常用于通信電源、變頻器等。
典型的應(yīng)用是在雙極晶體管對(duì)BJT的開關(guān)電路中，通過在BJT上連接Shockley的二極管鉗位，晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下接近截止?fàn)顟B(tài)，提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是用于74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字化智能電路的技術(shù)。
肖特基(Schottky)二極管的最大特征是正壓下降VF流稍小。同樣的電的情況下，正壓下降相當(dāng)小。此外，恢復(fù)時(shí)間短。耐壓低，漏電流大也有缺點(diǎn)。選擇時(shí)要全面考慮。
肖特基二極管原理
肖特基二極管是以貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)a為正極，以n型半導(dǎo)體b為負(fù)極，利用兩者接觸面形成的障礙具有整流特性的金屬半導(dǎo)體器件。由于n型半導(dǎo)體中有大量的電子，貴金屬中只有極少量的自由電子，電子從高濃度的b擴(kuò)散到低濃度的a。顯然，金屬a沒有空洞，也沒有空洞從a向b的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子從b擴(kuò)散到a，b表面的電子濃度逐漸下降，表面的電中性被破壞，形成了勢(shì)頭，其電場(chǎng)方向?yàn)閎→a。但是，在該電場(chǎng)的作用下，a中的電子也產(chǎn)生了從a→b的漂移運(yùn)動(dòng)，減弱了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以n型半導(dǎo)體為基礎(chǔ)，在上面形成以砷為配合劑的n-外延層。陽極用鉬和鋁等材料制作擋板。用二氧化硅(SiO2)去除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管道的耐壓值。n型基片具有較小的通態(tài)電阻，其混合濃度比h層高100%倍。在基片下面形成N+陰極層，其作用是減少陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，n型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢(shì)，如下圖所示。
當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
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